1、以下关于运行工况对电流互感器传变误差的描述正确的是( )。【单选题】
A.在二次负荷功率因数不变的情况下,二次负荷增加时电流互感器的幅值误差和相位误差均减小
B.二次负荷功率因数角增大,电流互感器的幅值误差和相位误差均增大
C.二次负荷功率因素角减小,电流互感器的幅值误差和相位误差均减小
D.电流互感器铁芯的导磁率下降,辐值误差和相位误差均增大
参考答案:A
答案解析:
当二次负荷功率因素角增大时,电流幅值误差增大,根位差减小;当电流互感器铁芯的导磁率下降时,幅值误差和相位误差均增大。
2、列写结点电压方程时,图示部分电路中结点B的自导为()。【单选题】
A.4S
B.6S
C.3S
D.2S
参考答案:A
3、长空气间隙在操作冲击电压作用下的击穿具有何种特性? ()【单选题】
A.击穿电压与操作冲击电压波尾有关
B.放电V-S特性呈现U形曲线
C.击穿电压随间隙距离增大线性增加
D.击穿电压高于工频击穿电压
参考答案:B
答案解析:A项击穿电压与操作冲击电压波前有关;C项,击穿电压随间隙距离增大不是线性变换的;D项,击穿电压低于工频击穿电压。B项,击穿电压与波头时间呈现U形曲线,这是因为放电时延和空间电荷的形成和迁移引起的。U形曲线极小值左边,击穿电压随波前缩短(放电时间缩短)而增大——放电时延因素的作用减少;U形曲线极小值右边,击穿电压随波前增大而上升——电压作用时间增加后,空间电荷迁移范围扩大,改善了间隙的磁场分布。
4、非正弦交流电的有效值等于( )。
A.各次谐波有效值之和的平均值;
B.各次谐波有效值平方和的平方根;
C.各次谐波有效值之和的平方根;
D.一个周期内的平均值乘以1.11。
参考答案:B
5、晶体管符号中,箭头朝外者,表示它是( )。
A.硅管;
B.锗管;
C.NPN管;
D.PNP管。
参考答案:C
6、冲击电流是指短路前空载、电源电压过零发生三相短路时全短路电流的( )。【单选题】
A.有效值
B.—个周期的平均值
C.最大瞬时值
D.—个周期的均方根值
参考答案:C
7、晶体管符号中,箭头朝内者,表示它是( )。
A.硅管
B.锗管
C.NPN管
D.PNP管
参考答案:D
8、500kV线路均采用4×LGJ400导线,本期4回线路总长度为303km,为限制工频过电压,其中一回线路上装有120Mvar并联电抗器;远景8回线路总长度预计为500km,线路充电功率按1.18Mvar/km计算。请问远景及本期工程该变电所35kV侧配置的无功补偿低压电抗器容量为下列哪组数值()?
(A)590Mvar、240Mvar
(B)295Mvar、179Mvar
(C)175Mvar、59Mvar
(D)116Mvar、23Mvar
参考答案:C
解答过程:根据《330kv~750kv变电站无功补偿装置设计技术规定》(DL/T5014—2010)条文说明第5.0.7条:按就地平衡原则,变电站装设电抗器的最大补偿容量,一般为其所接线路充电功率的1/2。故远景电抗器的补偿容量为500×1.18/2Mvar=295Mvar,现有一回线路上装有120Mvar并联电抗器,可得低压电抗器的补偿容量为(295-120)Mvar=175Mvar。同理,本期的低压电抗器的补偿容量为(303×1.18/2-120)Mvar≈59Mvar。
9、—台三相变压器的联结组为Yd5 ,其含义表示此时变压器原边的线电压滞后副边对应的线电压( )。 【单选题】
A.30°
B.150°
C.21°
D.330°
参考答案:C
10、关于可编程逻辑阵列PLA ,下列说法正确的是()。【单选题】
A.PLA结构是与门阵列固定连接,而或门阵列可编程
B.PLA结构是或门阵列固定连接,而与门阵列可编程
C.PLA结构是与门阵列和或门阵列都可以编程
D.PLA中,一个地址码对应的存储单元是唯一的
参考答案:C
答案解析:PLA主要由“与”阵列、“或”阵列构成,两个阵列均可编程。
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